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                  我國半導體設備之化學氣相沉積CVD設備

                  我國半導體設備之化學氣相沉積CVD設備

                  發布時間:2021-08-12 瀏覽次數:1123

                      化學氣相沉積CVD)技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD工藝過程中,把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜。通常,工藝過程中還會產生很多副產物,這些副產物會被氣流帶走離開腔室。由于CVD技術具有成膜范圍廣、重現性好等優點,被廣泛用于多種不同形態的成膜。

                  化學氣相沉積設備

                      根據化學氣相沉積的工藝條件不同,可以細分為等離子體化學氣相沉積(PECVD系統)、常壓/低壓化學氣相沉積(APCVD/LPCVD)、原子層化學氣相沉積(ALCVD)、氣相外延(VPE)等技術。根據數據,CVD設備占整個設備投資比例大概為15%,我們推算2018-2020年國內晶圓廠建設對應的CVD設備市場空間分別為157、162、172億元。而其中PECVD、AP/LPCVD、ALDVPE分別占比約為35%、35%、10%15%左右。

                  cvd設備

                  cvd設備
                   

                  等離子體增強化學氣相沉積(PECVD設備)

                      PECVD是借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離,在局部形成化學活性很強的等離子體,利用等離子體的活性來促進化學反應在較低的溫度下進行,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。這種CVD因借助于等離子體的活性,故稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。其主要優點有:沉積溫度低,對基體的結構和物理性質影響??;膜的厚度及成分均勻性好;膜組織結構致密、針孔少;膜層的附著力強;應用范圍廣,可制備各種金屬膜、無機膜和有機膜。

                      PECVD在集成電路中應用廣泛,主要用來沉積SiO2、SiNx、SiOxNy、APF、TEOS、FSG FSG等多種介電材料薄膜。PECVD設備在整個集成電路設備占比約為5-6%,根據數據,我們推算在2018-2020年國內的PECVD系統市場分別為56、58、61億元。

                    從全球分布來看,目前PECVD設備廠商也是呈現寡頭壟斷的局面。鄭州諾泰科技目前也有PECVD設備的生產,隨著技術的提升,銷量在不遠的將來一定也會有不俗的表現。

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