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                1. 專注于高溫加熱設備的工匠|真空爐|箱式爐|管式爐|氣氛爐|高溫爐|PECVD系統|氣氛燒結爐

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                  石墨烯用化學氣相沉積法制備的設備有哪些?

                  石墨烯用化學氣相沉積法制備的設備有哪些?

                  發布時間:2021-08-12 瀏覽次數:309

                  石墨烯用化學氣相沉積法制備的設備有cvd管式爐,微波等離子cvd設備、射頻化學氣相沉積法等。

                  cvd管式爐


                  下面我們來一一講解每個設備的優缺點:

                  cvd管式爐:設備簡單,操作容易,但是反應溫度高,時間較長,耗費能量較大,無法制備大面積的石墨烯;此外,由于沒有壓力,薄膜生長容易形成褶皺,減小平整度。

                  微波等離子cvd設備:是將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器,并通入甲烷和氫氣的混合氣體,從而產生甲烷-氫氣等離子體,在基底表面進行沉積。此法由于具有等離子體的輔助沉積,使其有沉積溫度低,時間短等優點。

                  磁控濺射cvd設備:磁控濺射cvd系統屬于冷壁腔cvd系統,也就是說在反應中只有襯底處是有效的加熱區;高溫下,碳氫氣體只在襯底上分解,不會造成碳過多而產生的抑制石墨烯生長的現象。
                  大家可以根據自己的需求來選擇合適的設備來做實驗。我們公司也有專門生產cvd管式爐,
                  最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等,極限真空可以達到10-3Pa,供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計,混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。公司型號為PT-T1200管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件,采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表,能進行30段程序控溫,移相觸發、可控硅控制,爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料,具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。如果有需要的可以聯系我們。

                   

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