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                  化學氣相沉積CVD技術的優點

                  化學氣相沉積CVD技術的優點

                  發布時間:2021-08-12 瀏覽次數:583

                  現在很多大學實驗室,研究院都在研究化學氣相沉積CVD),今天我們就來主要談下CVD技術的優點:

                    與其他沉積方法相比, CVD技術除了具有設備簡單、操作維護方便、靈活性強的優點外,還具有以下優勢:

                  化學氣相沉積,cvd技術

                    (1)在中溫和高溫下,通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而沉積固體;

                    (2)可以在大氣壓(常壓)或者低于大氣壓下進行沉積,一般說低壓效果更好些;

                    (3)采用等離子和激光輔助技術可以顯著促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行;

                    (4)鍍層的化學成分可以改變,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層;

                    (5)可以控制鍍層的密度和純度;

                    (6)繞鍍性好,可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上沉積;

                    (7)氣體條件通常是層流的,可在基體表面形成厚的邊界層;

                    (8)沉積層通常具有柱狀晶結構,不耐彎曲,但通過各種技術對化學反應進行氣相擾動,可以得到細晶粒的等軸沉積層;

                    (9)可以形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物鍍層。只要原料氣稍加改變,采用不同的工藝參數便可制備性能各異的沉積層;可涂覆各種復雜形狀工件,如帶槽、溝、孔或盲孔的工件;涂層與基體間結合力強等。

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